IBM construyó la celda de memoria SRAM más pequeña del mundo

Junto con sus socios de desarrollo –AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba y la Escuela de Ciencia e Ingeniería de Nanoescala (CNSE)–, IBM anunció la primera memoria estática de acceso aleatorio (SRAM) operativa basada en una tecnología de 22 nanómetros. Se trata de la primera celda de memoria operativa construida en la fábrica de obleas de 300mm que la empresa posee en la localidad estadounidense de Albany.

Veintidós nanómetros es una marca situada a dos generaciones de la tecnología actual, en lo referido a fabricación de chips. La celda SRAM construida por IBM utiliza un diseño convencional de seis transistores y posee un área de 0,1µm2, lo cual rompe las barreras preexistentes en cuanto a escala de memorias SRAM.

Tradicionalmente, los chips SRAM se hacen más densos mediante una compresión de su componente básico, habitualmente denominado celda. Los investigadores aliados a IBM optimizaron el diseño de las celdas SRAM y el layout de los circuitos para mejorar la estabilidad, desarrollando varios procesos novedosos de fabricación de forma tal de hacer posible la nueva celda SRAM. Los investigadores utilizaron litografía por inmersión de alto NA para imprimir los diminutos patrones, y fabricaron las partes en su entorno de investigación en semiconductores sobre obleas de 300mm.

El tamaño de las celdas SRAM son una métrica tecnológica clave en la industria de semiconductores, y este trabajo pone a IBM y sus socios en una posición de liderazgo en cuanto a tecnología de procesos.

Intel exhibió el primer chip de prueba fabricado en 32nm hace un año, pero desde entonces no han reportado posteriores avances. Esto significa que AMD, aprovechando el desarrollo conjunto con IBM, podría obtener una ventaja en su competencia con Intel, en la cual lleva una posición rezagada, ya que su transición a procesos de fabricación de 45nm recién se estaría completando hacia fines de este año.